東芝は2月6日、LSIの混載DRAMの新技術として、32Mbの容量で世界最高速となる833MHzを実現する回路を開発した。今後、画像処理LSIの高速化などに応用していく。

 混載DRAMは、外付けメモリに比べ高速でアクセスできるため、大容量データを扱う画像処理LSIなどに採用されている。一方で、高精細動画の普及拡大などを背景にさらなる高速化が求められていた。

 今回、対象領域をその都度指定して読み書きする従来の方式に替わって、メモリ全体を仮想的に2分割して読み書きを並列・交互に処理して高速化する「擬似2ポート」方式を導入。これに対応して、データ入出力の命令系統を見直すなどの回路全般を最適化することにより、幅広い用途で利用できる32Mb以上の大容量混載DRAMで世界最高速動作を実現した。