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東芝、韓サムスン電子とNAND型メモリ技術の相互使用で合意
2007/12/04 22:27
今回の合意では、東芝が同社のコントローラ内蔵の組み込んだ大容量のNAND型フラッシュメモリ「LBA-NAND」や「mobileLBA-NAND」のインターフェイス仕様や商標をサムスン電子に使用を許可する一方、サムスン電子が自社のNAND型メモリ「OneNAND」や「Flex-OneNAND」のインターフェイス仕様や商標について東芝の使用を許諾する。
今後、東芝はサムスンの「OneNAND」や「Flex-OneNAND」、サムスン電子では東芝の「LBA-NAND」や「mobileLBA-NAND」の生産・販売していく。また、2社の仕様に沿った新型メモリを08年中に販売する計画。
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