NECとNECエレクトロニクスは、次世代の不揮発メモリ「ReRAM（抵抗メモリ）の高信頼化技術を開発した。ReRAMは、次世代のメモリとして研究開発が進んでいるが、動作の信頼性が課題だった。NECでは、メモリ構造や素材を変更することで動作を安定させた。

　具体的には、メモリの構造で抵抗変化層に安定した伝導パスを形成する酸化タンタル層と、スイッチング可能な伝導パスを作り出す酸化チタン層との積層構造を採用。データ読出し動作時に発生していた誤書込みを防止できるようにした。

　ReRAMの抵抗変化層は、これまで酸化チタン単層構造などが採用されていたが、データの読み出し動作を重ねると抵抗値が増加し、誤動作を起こすという課題があった。

　電極材料も見直し、微細加工が困難だったこれまでの白金から、微細加工ができ、材料親和性の高いルテニウムを使用。白金の電極使用時に比べ10分の1以下のサイズにするとともに、伝導パス付近に生じるノイズを低減し、正確な読み出しを実現した。

　NECとNECエレクトロニクスは、新技術を元にReRAMの開発を加速。実用化に弾みをつける。